| APT12057JLL | |
|---|---|
| Αριθμός εξαρτήματος | APT12057JLL |
| Κατασκευαστής | Microsemi |
| Περιγραφή | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 |
| Διαθέσιμη ποσότητα | 3142 pcs new original in stock. Ζητήστε Χρηματιστήριο & Τιμολόγηση |
| Μοντέλο ECAD | |
| Φύλλα δεδομένων | |
| APT12057JLL Price |
Τιμή αιτήματος & χρόνος προσφοράς online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Τεχνικές πληροφορίες για το APT12057JLL | |||
|---|---|---|---|
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | APT12057JLL | Κατηγορία | Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών |
| Κατασκευαστής | Microsemi | Περιγραφή | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 |
| Πακέτο / Θήκη | Bulk | Διαθέσιμη ποσότητα | 3142 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA | Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | SOT-227 | Σειρά | POWER MOS 7® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 570 mOhm @ 10A, 10V | Έκλυση ενέργειας (Max) | 520W (Tc) |
| Συσκευασία | Bulk | Συσκευασία / υπόθεση | SOT-227-4, miniBLOC |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) | τοποθέτηση Τύπος | Chassis Mount |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 25V | Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 290nC @ 10V |
| FET Τύπος | N-Channel | FET Χαρακτηριστικό | - |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 1200V (1.2kV) | Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 19A |
| Κατεβάστε | APT12057JLL PDF - EN.pdf | ||
Στείλτε μας email: Info@Ariat-Tech.com ή RFQ APT12057JLL Online.
| APT12057JLL Απόθεμα | Τιμή APT12057JLL | APT12057JLL Electronics | |||
| Συστατικά APT12057JLL | APT12057JLL Απογραφή | APT12057JLL Digikey | |||
| Προμηθευτής APT12057JLL | Παραγγελία APT12057JLL Online | Έρευνα APT12057JLL | |||
| APT12057JLL Εικόνα | APT12057JLL Εικόνα | APT12057JLL PDF | |||
| Φύλλο δεδομένων APT12057JLL | Λήψη φύλλου δεδομένων APT12057JLL | Κατασκευαστής Microsemi | |||
| Σχετικά μέρη για το APT12057JLL | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Περιγραφή | Κατασκευαστής | Πάρτε ένα απόσπασμα | |
 |
APT1204R7KLLG | APT1204R7KLLG APT | APT | ||
 |
APT12057LFLLG | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 | Microsemi Corporation | ||
 |
APT1204R7KFLLG | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220 | Microsemi Corporation | ||
|
APT12060B2VFR | APT New | APT | ||
|
APT12060B2VR | APT12060B2VR APT | APT | ||
 |
APT12057B2FLLG | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Microsemi Corporation | ||
|
APT12060LVRG | APT12060LVRG APT | APT | ||
|
APT12057LLL | APT New | APT | ||
|
APT12057B2FLLG | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Microsemi Corporation | ||
|
APT12057B2LL | APT New | APT | ||
 |
APT12057B2LLG | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | Microsemi Corporation | ||
|
APT12057LFLL | APT12057LFLL APT | APT | ||
|
APT1204R7BFLLG | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | Microsemi Corporation | ||
|
APT1204R7BFLL | APT New | APT | ||
|
APT12057B2FLL | APT New | APT | ||
|
APT12060LVR | APT New | APT | ||
|
APT12067B2FLLG | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | Microsemi Corporation | ||
|
APT12057JFLL | APT New | APT | ||
|
APT12057JLLX | APT New | APT | ||
|
APT12060B2VF | APT12060B2VF APT | APT | ||
Νέα
Περισσότερο
Καθώς η τεχνολογία προχωρά και η ηλικία των πληροφοριών φτάνει, τα οπτικά δίκτυα, ...
Το Home ανέφερε στις 16 Απριλίου ότι σύμφωνα με την έκθεση "Global Semiconductor Equipment, που κυκλ...
Η Σουηδική Ένωση, εάν η Metall ανακοίνωσε στις 10 Απριλίου ότι η απεργία της Tesla Mechanics ε...
Πρόσφατα, μεγάλοι κατασκευαστές αποθήκευσης όπως η Micron, η Samsung και η Western Digital ανακο...
Στον αέρα, το κανονικό κλάσμα όγκου του περιεχομένου οξυγόνου είναι περίπου 20,9%, α...
Νέα Προϊόντα
Περισσότερο
Φωτοηλεκτρικό αισθητήρα σειράς PD30 Οι μινιατούρες φωτο...
Κιτ αξιολόγησης XC112 / XR112 για το παλλόμενο συνεκτικό ραν...
MINAS Servo Drives και Motors Η οικογένεια MINAS A6 της Panasonic εξασφαλί...
Πίνακας οδηγού UV οδηγήσεων Ο πίνακας οδηγού υπεριωδών ...
Βιομηχανική και εκτεταμένη δοκιμή DDR SDRAM Οι συσκευές DDR ...
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ΠΡΟΣΘΕΤΩ: Rm 2703 27Ρ Ho King Comm Center 2-16,
Φου Γιουέν Σεν Μόνγκ Κοκ Κονόλ, Χονγκ Κονγκ.
Σημείωση πνευματικών δικαιωμάτων © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Ολα τα δικαιώματα διατηρούνται.