APT30F50B | |
---|---|
Αριθμός εξαρτήματος | APT30F50B |
Κατασκευαστής | Microsemi |
Περιγραφή | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
Διαθέσιμη ποσότητα | 3037 pcs new original in stock. Ζητήστε Χρηματιστήριο & Τιμολόγηση |
Μοντέλο ECAD | |
Φύλλα δεδομένων | |
APT30F50B Price |
Τιμή αιτήματος & χρόνος προσφοράς online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Τεχνικές πληροφορίες για το APT30F50B | |||
---|---|---|---|
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | APT30F50B | Κατηγορία | Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών |
Κατασκευαστής | Microsemi | Περιγραφή | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
Πακέτο / Θήκη | Tube | Διαθέσιμη ποσότητα | 3037 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-247 [B] |
Σειρά | POWER MOS 8™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 14A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 415W (Tc) | Συσκευασία | Tube |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-247-3 | Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Through Hole | Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 4525pF @ 25V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 115nC @ 10V | FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - | Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 500V | Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Κατεβάστε | APT30F50B PDF - EN.pdf |
APT30F50B Απόθεμα | Τιμή APT30F50B | APT30F50B Electronics | |||
Συστατικά APT30F50B | APT30F50B Απογραφή | APT30F50B Digikey | |||
Προμηθευτής APT30F50B | Παραγγελία APT30F50B Online | Έρευνα APT30F50B | |||
APT30F50B Εικόνα | APT30F50B Εικόνα | APT30F50B PDF | |||
Φύλλο δεδομένων APT30F50B | Λήψη φύλλου δεδομένων APT30F50B | Κατασκευαστής Microsemi |
Σχετικά μέρη για το APT30F50B | |||||
---|---|---|---|---|---|
Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Περιγραφή | Κατασκευαστής | Πάρτε ένα απόσπασμα | |
APT30GN60BDQ2 | APT30GN60BDQ2 APT | APT | |||
APT30DS30B | APT30DS30B APT | APT | |||
APT30DQ60BCTG | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | Microsemi Corporation | |||
APT30GN60BDQ2G | IGBT 600V 63A 203W TO247 | Microsemi Corporation | |||
APT30F60J | MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 | Microsemi Corporation | |||
APT30GN60BG | IGBT 600V 63A 203W TO247 | Microsemi Corporation | |||
APT30GL100BN | APT New | APT | |||
APT30DS20HJ | DIODE MODULE 200V SOT227 | Microsemi Corporation | |||
APT30DQ60BCT | IGBT Modules | APT | |||
APT30GF60JU2 | IGBT 600V 58A 192W SOT227 | Microsemi Corporation | |||
APT30GF60BN | APT New | APT | |||
APT30DS60BG | DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247 | Microsemi Corporation | |||
APT30GF60JU3 | IGBT 600V 58A 192W SOT227 | Microsemi Corporation | |||
APT30DS60B | APT30DS60B PHILIPS | PHILIPS | |||
APT30DQ60BHBG | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | Microsemi Corporation | |||
APT30DQ60K | APT30DQ60K APT | APT | |||
APT30F50S | MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK | Microsemi Corporation | |||
APT30GN60B | IGBT Modules | APT | |||
APT30DQ60KG | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220 | Microsemi Corporation | |||
APT30DQ60BG | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 | Microsemi Corporation |
Νέα
ΠερισσότεροΗ Σουηδική Ένωση, εάν η Metall ανακοίνωσε στις 10 Απριλίου ότι η απεργία της Tesla Mechanics ε...
Πρόσφατα, μεγάλοι κατασκευαστές αποθήκευσης όπως η Micron, η Samsung και η Western Digital ανακο...
Στον αέρα, το κανονικό κλάσμα όγκου του περιεχομένου οξυγόνου είναι περίπου 20,9%, α...
Πρόσφατα, που αντιμετώπισε τη δυνατότητα της ASML (ASML Holding N.V.) μετεγκατάσταση μέρος τ...
Κατά το πρώτο τρίμηνο, η βιομηχανία ημιαγωγών πλησιάζει στο τέλος της αποταμίευση...
Νέα Προϊόντα
ΠερισσότεροΦωτοηλεκτρικό αισθητήρα σειράς PD30 Οι μινιατούρες φωτο...
Κιτ αξιολόγησης XC112 / XR112 για το παλλόμενο συνεκτικό ραν...
MINAS Servo Drives και Motors Η οικογένεια MINAS A6 της Panasonic εξασφαλί...
Πίνακας οδηγού UV οδηγήσεων Ο πίνακας οδηγού υπεριωδών ...
Βιομηχανική και εκτεταμένη δοκιμή DDR SDRAM Οι συσκευές DDR ...
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ΠΡΟΣΘΕΤΩ: Rm 2703 27Ρ Ho King Comm Center 2-16,
Φου Γιουέν Σεν Μόνγκ Κοκ Κονόλ, Χονγκ Κονγκ.