APT11N80BC3G | |
---|---|
Αριθμός εξαρτήματος | APT11N80BC3G |
Κατασκευαστής | Microsemi |
Περιγραφή | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
Διαθέσιμη ποσότητα | 2651 pcs new original in stock. Ζητήστε Χρηματιστήριο & Τιμολόγηση |
Μοντέλο ECAD | |
Φύλλα δεδομένων | |
APT11N80BC3G Price |
Τιμή αιτήματος & χρόνος προσφοράς online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Τεχνικές πληροφορίες για το APT11N80BC3G | |||
---|---|---|---|
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | APT11N80BC3G | Κατηγορία | Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών |
Κατασκευαστής | Microsemi | Περιγραφή | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
Πακέτο / Θήκη | Tube | Διαθέσιμη ποσότητα | 2651 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA | Vgs (Max) | ±20V |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) | Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | TO-247 [B] |
Σειρά | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
Έκλυση ενέργειας (Max) | 156W (Tc) | Συσκευασία | Tube |
Συσκευασία / υπόθεση | TO-247-3 | Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
τοποθέτηση Τύπος | Through Hole | Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V |
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs | 60nC @ 10V | FET Τύπος | N-Channel |
FET Χαρακτηριστικό | - | Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) | 10V |
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) | 800V | Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Κατεβάστε | APT11N80BC3G PDF - EN.pdf |
APT11N80BC3G Απόθεμα | Τιμή APT11N80BC3G | APT11N80BC3G Electronics | |||
Συστατικά APT11N80BC3G | APT11N80BC3G Απογραφή | APT11N80BC3G Digikey | |||
Προμηθευτής APT11N80BC3G | Παραγγελία APT11N80BC3G Online | Έρευνα APT11N80BC3G | |||
APT11N80BC3G Εικόνα | APT11N80BC3G Εικόνα | APT11N80BC3G PDF | |||
Φύλλο δεδομένων APT11N80BC3G | Λήψη φύλλου δεδομένων APT11N80BC3G | Κατασκευαστής Microsemi |
Σχετικά μέρη για το APT11N80BC3G | |||||
---|---|---|---|---|---|
Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Περιγραφή | Κατασκευαστής | Πάρτε ένα απόσπασμα | |
APT11N80KC3G | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | Microsemi Corporation | |||
APT11GF120KRG | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | Microsemi Corporation | |||
APT11GP60BDQB | APT New | APT | |||
APT1201R2BLL | APT1201R2BLL APT | APT | |||
APT11GP60BDQBG | IGBT 600V 41A 187W TO247 | Microsemi | |||
APT1201R4BLL | APT New | APT | |||
APT11GP60BDQG | APT11GP60BDQG APT | APT | |||
APT1201R4BFLL | APT1201R4BFLL APT | APT | |||
APT11F80S | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | Microsemi Corporation | |||
APT1201R4BLLG | APT1201R4BLLG APT | APT | |||
APT11GF120BRDQ1 | APT11GF120BRDQ1 APT | APT | |||
APT1201R2BFLL | APT New | APT | |||
APT1201R4B | APT1201R4B APT | APT | |||
APT11GF120BRDQ1G | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | Microsemi Corporation | |||
APT11GF120KR | APT11GF120KR APT | APT | |||
APT1201R5BVR | APT New | APT | |||
APT1201R4BFLLG | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | Microsemi Corporation | |||
APT11N80BC3 | APT11N80BC3 APT | APT | |||
APT11M120B | APT11M120B APT | APT | |||
APT1201R4BLLX | APT1201R4BLLX APT | APT |
Νέα
ΠερισσότεροΗ Σουηδική Ένωση, εάν η Metall ανακοίνωσε στις 10 Απριλίου ότι η απεργία της Tesla Mechanics ε...
Πρόσφατα, μεγάλοι κατασκευαστές αποθήκευσης όπως η Micron, η Samsung και η Western Digital ανακο...
Στον αέρα, το κανονικό κλάσμα όγκου του περιεχομένου οξυγόνου είναι περίπου 20,9%, α...
Πρόσφατα, που αντιμετώπισε τη δυνατότητα της ASML (ASML Holding N.V.) μετεγκατάσταση μέρος τ...
Κατά το πρώτο τρίμηνο, η βιομηχανία ημιαγωγών πλησιάζει στο τέλος της αποταμίευση...
Νέα Προϊόντα
ΠερισσότεροΦωτοηλεκτρικό αισθητήρα σειράς PD30 Οι μινιατούρες φωτο...
Κιτ αξιολόγησης XC112 / XR112 για το παλλόμενο συνεκτικό ραν...
MINAS Servo Drives και Motors Η οικογένεια MINAS A6 της Panasonic εξασφαλί...
Πίνακας οδηγού UV οδηγήσεων Ο πίνακας οδηγού υπεριωδών ...
Βιομηχανική και εκτεταμένη δοκιμή DDR SDRAM Οι συσκευές DDR ...
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966ΠΡΟΣΘΕΤΩ: Rm 2703 27Ρ Ho King Comm Center 2-16,
Φου Γιουέν Σεν Μόνγκ Κοκ Κονόλ, Χονγκ Κονγκ.